Micron Technology var den første som masseproduserte faseminne for mobile enheter. Noen er ennå ikke klar over fordelene med denne innovative teknologien. For å finne ut hvordan et slikt telefonminne vil fungere, må du analysere driftsprinsippet til dette mikrokretsløpet, som kan bytte fra en fase til en annen.
Faseminne er en integrert krets som er basert på en faseovergang ved bruk av nanorør. Eksperter kaller det annerledes: PRAM, Ovonic Unified Memory, PCM, PCRAM, C-RAM og Chalcogenide RAM.
Hovedversjonen av hennes arbeid er den eksepsjonelle transformasjonen av kalkogenidet, som kan passere fra en amorf tilstand til en krystallinsk og omvendt. Dette skjer på grunn av effekten av høye temperaturer av elektrisk strøm på stoffets molekyler.
Dette minnet regnes som ikke-flyktig. Fordi den har muligheten til å lagre informasjon selv når strømmen er av. Og hastigheten på arbeidet kan bare sammenlignes med DRAM og til og med overgår det.
I tillegg til uavhengighet fra energi og høy ytelse, har PCM-minne et stort antall omskrivingsfunksjoner, en enorm cellestørrelse for lagring av informasjon, utmerket motstand og pålitelighet mot eksterne faktorer.
Alle de ovennevnte egenskapene til fasebryttet minne gjør det mulig å lette utformingen av kretser i mikroelektroniske enheter betydelig, og samtidig forbedre kvaliteten og multiplisere funksjonelle egenskaper.
På dette tidspunktet utvikles faseminne og rekonstrueres stadig av så kjente selskaper som Samsung, Intel, Numonyx, IBM. Den kan brukes i områder som medisinsk elektronikk, bilindustri, romfartsteknikk, atomindustri, etc. I tillegg blir denne teknologien ganske enkelt uerstattelig i smarttelefoner, nettbrett og PC-er.
Micron forklarte at faseminnet gir den elektroniske enheten muligheten til å starte på kort tid, med lavt strømforbruk, har den høyeste ytelsen og påliteligheten. Denne nye prestasjonen, som forskere har kalt "fremtidens minne", vil kunne konkurrere med flashminne.
